Hlavní stránka > Výsledky hledání: keywords:"heteroepitaxy"
Hledej:
Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání
Hledej ve sbírkách:
Seřadit podle: Zobrazit výsledky: Výstupní formát:
Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 2 záznamů.  Hledání trvalo 0.01 vteřin. 
EPITAXIAL OVERGROWTH OF InP and GaAs MICROPORES, MICROCAVITIES AND MICROLAMELLAS BY InAs AND InGaAs
 Nohavica, Dušan ; Grym, Jan ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Gladkov, Petar ; Jarchovský, Zdeněk
Structural and optical properties of micro and nano-porous InP and GaAs substrates used for an epitaxial overgrowth of thin films were investigated. Both crystalographically oriented (CO) and current line oriented (CLO) pore networks were created by electrochemical dissolution. Heat treatment of InP pores at 650oC and GaAs pores at 750-850oC converted them into microcavities The capability of improved structural quality homo- and hetero-epitaxially overgrown films on the porous InP, was also demonstrated by LPE growth of InP and InAs and GaInAs on GaAs by MOVPE technology.
Úplný záznam
[Mechanismus vzniku spontánně tvořených nanostruktůr při heteroepitaxy
 Kotrla, Miroslav ; Volkmann, T. ; Much, F. ; Biehl, M.
Je uveden stručný přehled nedávných výsledků studia spontánního vytváření nanostruktur při heteroepitaxy nemisitelných kovů. Jsou popsány metody mikroskopického modelování mnohasložkováho růstu. Konkrétně jsou uvedeny výsledky simulací struktur se střídavými použky různých materiálů při použití jak mřížkových tak spojitých atomistických modelů.
Úplný záznam

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.
Digitální repozitář :: Hledej :: Nový záznam :: Personalizace :: Nápověda
Powered by Invenio v1.1.2
Spravuje admin.invenio@techlib.cz
Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky  English